ON Juni 5, 2021, INNOSEC (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. hielt eine Massenproduktion und R&D-Gebäude-bahnbrechende Zeremonie. Dies markiert die offizielle Inbetriebnahme der weltweit größten Galliumnitridproduktionsbasis, und es hat auch eine große historische Bedeutung für die Entwicklung der dritten&generation-Halbleitertechnologie in China und sogar der Welt.#-
wu ling, Vorsitzender der dritten
inch Silicon-based Galliumnitridprodukte in der Spitze der Welt waren, und der 14. Fünf-Nyear-Plan ist ebenfalls eindeutig vorgeschlagen Integrierte Schaltungen, Siliziumkarbid, in wichtigen Entwicklungsbereichen wie Galliumnitrid, hofft, dass InnoSecco die Waagevorteile der Produktionsstätte der Suzhou-Produktionsbasisnutzen kann, um eine führende Rolle in der zukünftigen Galliumnitridmarkt zu spielen und industrielle Entwicklung zu treiben.---
funded Im Dezember 2015 ist Innosec ein Silizium-
BASED Gallium NI widmet Tride-Technologie, um den Bau von Energy-Systemen mit hoher-efficienz in derneuen Ära zu unterstützen. Im November 2017nahm INNOZEC die Führung bei der Erstellung der Welt--39; S Ersting 8-inch Silicon&based Galliumnitrid-Massenproduktionslinie in Zhuhai und realisierte dann sukzessive den Versand von Hoch- und Niederspannungsprodukten.#--
gen Eine führende Anbieter von Drittanbieter, Innoc
-39; S IDM Full&industry Chain Integrated Manufacturing-Modell kann Kunden effizientere und äußerst zuverlässige Lösungen mitbringen, und seine Produkte können in Cloud-Computing weit verbreitet sein (Rechenzentrum), Automobile, mobile elektronische Geräte und andere Felder.#-
innosec suzhou
39; S Dritter&generation Semiconductor Base befindet sich in der Fenhu High#tech Zone, Wujiang Bezirk, Suzhou City , Provinz Jiangsu. Es umfasst eine Fläche von 368 Hektar und ist ein wichtiges Projekt in der Provinz Jiangsu. Die Gesamtinvestition in der ersten Phase wird voraussichtlich 8 Milliarden RMB betragen. Nach der Fertigstellung wird es die weltweit--39; sgrößte dritte dritte der dritten&generation semiconductor industrie kette r#d und produktionsplattform integrieren r-d, design, epitaxialer produktion, chip herstellung und testung.&&
\\ Es versteht sich, dass die Produktionskapazität von InnoSec
39; S Suzhou Galliumnitridproduktionsbasisnach ihrer Inbetriebnahme am 5. Juni allmählich steigen wird, und die Produktionskapazität wird bis Ende 2021 6.000 Stück
inch Silizium&based Galliumnitrid-Wafern erwartet werden jährlich einen Ausgangswert von 15 Milliarden Yuan haben, mit einem Gewinn und Steuern von mehr als 1,5 Milliarden Yuan.#/--
Da der Ausbruch der Epidemie in 2020-Chip Engpässe verbreiten sich schnell auf der ganzen Welt und werden immer intensiver. Als typischer Vertreter im Bereich von Highend Semiconductor-Geräten in meinem Land wurde Innoc
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innosec GAN-Leistungsgeräte habe einen lauten und angenehmen Nameninnogan
. In den letzten Jahren hat Innogan in den letzten Jahren mit dem Aufstieg des Fast-Lademarkts des Galliumnitrid-Fast-Lademarktes in der Verbraucherstromversorgung eine Bühne für Innogan zur Verfügung gestellt, um seine Talente zu zeigen. Gleichzeitig ist Innogan allmählich ein bekanntes Produkt für Verbrauchermachtingenieure.
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39; S Masseproduzierte Galliumnitrid-Leistungsgeräte abdecken Der Spannungsbereich von 30 V
900V, und es ist zu einem der wenigen originalen IDM-Hersteller auf dem globalen Markt mit einem kompletten Sortiment an Galliumnitrid-High
voltage-Produktlinien.-
generation-Halbleiterprojekt in China, das durch das Fenster dernationalen Entwicklungs- und Reformkommission geführt wird. Gleichzeitig, als ein Unicorn-Unternehmen auf China-
39; s IC Billboard Im Jahr 2021 hat InnoSec Key RD-Projekte einer Reihenationaler Ministerien und einschlägige Provinzabteilungen durchgeführt.
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