Auf 5. Juni 2021, Innosec (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. gehalten eine Massenproduktion und R&D Aufbau Spatenstich. Dies markiert die offizielle Inbetriebnahme der Welt' s größte Galliumnitrid-Produktion, und es hat auch große historische Bedeutung für die Entwicklung der dritten-generation Halbleitertechnologie in China und sogar der Welt

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wu ling, Vorsitzender der dritten-generation Semiconductor Industry Technology Innovation Strategic Alliance, sagte, dass InnoSec's 8-inch Silicon-based Galliumnitridprodukte in der Spitze der Welt waren, und der 14. Fünf-Nyear-Plan ist ebenfalls eindeutig vorgeschlagen integrierte Schaltungen, Siliciumcarbid, in wichtigen Entwicklungsbereichen wie Galliumnitrid, so hofft man, dass Innosecco Vorteil der Skalen Vorteile der Suzhou Produktionsbasis eine führende Rolle in der Zukunft Galliumnitrid Markt zu spielennehmen und die industrielle Entwicklung treiben.-

based Galliumnitrid Chip integriert Herstellerfirma Gebrauch des erweiterten gewidmet, effizient undniedrigen-Cost Silizium-based Galliumni Tride-Technologie, um den Bau von Energy-Systemen mit hoher-efficienz in derneuen Ära zu unterstützen. Im November 2017 hat Innosec die Führung in der Welt, die Konstruktion-&39;. S erstes 8#inch Silizium-based Galliumnitrid Linie Massenproduktion in Zhuhai, und dann die Sendung von hohen undniedrigen Spannungsproduktennacheinander realisiert-

generation Halbleitertechnologieanbieter, Innosec-&39; s IDM voll#industry Kette integrierte Herstellung Modell Kunden effiziente und höchst zuverlässige Lösungen bringen kann, und seine Produkte sind weit verbreitet in Cloud-Computing verwendet werden (data center), Kraftfahrzeuge, mobile elektronische Geräte und andere Felder-

&39;. s dritte#generation Halbleiterbasis wird in Fenhu Hoch \\ befindet NTech Zone, Wujiang, Suzhou City , Provinz Jiangsu. Es umfasst eine Fläche von 368 Hektar und ist ein wichtiges Projekt in der Provinz Jiangsu. Die Gesamtinvestition in der ersten Phase wird voraussichtlich 8 Milliarden RMB betragen. Nach der Fertigstellung wird die Welt worden--39;. Größte dritter&generation Halbleiterindustrie Kette R#D und Produktionsplattform Integration R-D, design, epitaxiale Produktion, Chip-Herstellung und Prüfung&&

Es versteht sich, dass die Produktionskapazität des Innosec

39; s Base Suzhou Galliumnitrid Produktion allmählich steigennach der am 5. Juni die Inbetriebnahme und die Produktionskapazität erreichen 6.000 Stücke&month bis Ende 2021.nachdem der Das Projekt wird Ende 2022 vollständig in die Produktion gebracht, die Anlage Suzhou erreichen eine jährliche Produktionskapazität von 780.000 Stück. 8#inch Silizium/based Galliumnitrid-Wafern erwartet werden jährlich einen Ausgangswert von 15 Milliarden Yuan haben, mit einem Gewinn und Steuern von mehr als 1,5 Milliarden Yuan.--

Da der Ausbruch der Epidemie in 2020-Chip Engpässe verbreiten sich schnell auf der ganzen Welt und werden immer intensiver. Als typischer Vertreter auf dem Gebiet der Hoch

-39; s Suzhou Galliumnitrid-Projekt wurde in Betrieb genommen,nichtnur für 5G Mobilkommunikation, Datenzentren,neue Energie Fahrzeuge, unbemanntes Fahr , Mobiltelefon-Schnellladung und andere strategische aufstrebende Industrien. Unabhängige Innovation und Entwicklung bieten Kern elektronische Komponenten, und haben auch enorme Vorteile hinsichtlich der Produktionskapazität und die Kosten, die eine ausreichende Versorgungssicherheit für die Anwendung von Produkten in verschiedenen Bereichen zur Verfügung stellen kann.&#

InnoSec GaN Power-Geräte habe einen lauten und angenehmen Namen

. In den letzten Jahren mit dem Aufkommen des Galliumnitrid Schnelllade Markt im Consumer Spg.Versorgungsteilfeld hat InnoGaN eine Bühne für InnoGaN sofern ihre Talente zu zeigen. Zur gleichen Zeit hat sich InnoGaN allmählich ein bekanntes Produkt für Verbraucher Netzingenieure geworden""

Es vorhanden, Innosec

39;. S Masse&produced Galliumnitrid-Leistungsvorrichtungen Abdeckung der Spannungsbereich von 30 V#900V, und es hat eine der wenige original IDM Hersteller auf dem globalen Markt mit einer vollständigen Palette von Galliumnitrid hohen-voltage undniedrigeren-voltage Produktlinien.--

with wurde Seine starke wissenschaftliche Forschungsstärke und fortschrittliche Technologie, InnoSec wurde unter der wichtigsten Unterstützung von viernationalen Ministerien und Provisionen als integriertes Schaltungsunternehmen unter 0,25 Mikron aufgeführt. Es ist auch das erste Drittel

-39; s IC Billboard Im Jahr 2021 hat InnoSec Key R&D-Projekte einer Reihenationaler Ministerien und einschlägige Provinzabteilungen durchgeführt.#&

\\ Die Grundlage des Fundaments im Jahr 2018 auf die Belag des Hauptfabrikgebäudes im Jahr 2019, und dann zog das Gerät im Jahr 2020 auf die formale Massenproduktion. Innur drei Jahren haben wir mit der raschen Entwicklung von InnoSec gesehen, und InnoSec hat auch die Welt ihre Entschlossenheit gezeigt, hoch
end-Halbleitergeräte aufzubauen.

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