Auf 5. Juni 2021, Innosec (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. gehalten eine Massenproduktion und R&D Aufbau Spatenstich. Dies markiert die offizielle Inbetriebnahme der Welt' s größte Galliumnitrid-Produktion, und es hat auch große historische Bedeutung für die Entwicklung der dritten-generation Halbleitertechnologie in China und sogar der Welt

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wu ling, Vorsitzender der dritten-generation Semiconductor Industry Technology Innovation Strategic Alliance, sagte, dass InnoSec's 8-inch Silicon-based Galliumnitridprodukte in der Spitze der Welt waren, und der 14. Fünf-Nyear-Plan ist ebenfalls eindeutig vorgeschlagen Integrierte Schaltungen, Siliziumkarbid, in wichtigen Entwicklungsbereichen wie Galliumnitrid, hofft, dass InnoSecco die Waagevorteile der Produktionsstätte der Suzhou-Produktionsbasisnutzen kann, um eine führende Rolle in der zukünftigen Galliumnitridmarkt zu spielen und industrielle Entwicklung zu treiben.-

based Galliumnitrid Chip integriert Herstellerfirma Gebrauch des erweiterten gewidmet, effizient undniedrigen-Cost Silizium-based Galliumni Tride-Technologie, um den Bau von Energy-Systemen mit hoher-efficienz in derneuen Ära zu unterstützen. Im November 2017 hat Innosec die Führung in der Welt, die Konstruktion-&39;. S erstes 8#inch Silizium-based Galliumnitrid Linie Massenproduktion in Zhuhai, und dann die Sendung von hohen undniedrigen Spannungsproduktennacheinander realisiert-

gen Eine führende Anbieter von Drittanbieter, Innoc-' S IDM Full-industry Chain Integrated Manufacturing-Modell kann Kunden effizientere und äußerst zuverlässige Lösungen mitbringen, und seine Produkte können in Cloud-Computing weit verbreitet sein (Rechenzentrum), Automobile, mobile elektronische Geräte und andere Felder.

innosec suzhou' S Dritter-generation Semiconductor Base befindet sich in der Fenhu High-tech Zone, Wujiang Bezirk, Suzhou City , Jiangsu Province. Es umfasst eine Fläche von 368 Hektar und ist ein wichtiges Projekt in der Provinz Jiangsu. Die Gesamtinvestition in der ersten Phase wird voraussichtlich 8 Milliarden RMB betragen. Nach der Fertigstellung wird es die weltweit' sgrößte dritte dritte der dritten-generation semiconductor industrie kette r&d und produktionsplattform integrieren r&d, design, epitaxialer produktion, chip herstellung und testung.

Es versteht sich, dass die Produktionskapazität des Innosec' s Base Suzhou Galliumnitrid Produktion allmählich steigennach der am 5. Juni die Inbetriebnahme und die Produktionskapazität erreichen 6.000 Stücke/month bis Ende 2021.nachdem der Das Projekt wird Ende 2022 vollständig in die Produktion gebracht, die Anlage Suzhou erreichen eine jährliche Produktionskapazität von 780.000 Stück. 8-inch Silizium-based Galliumnitrid-Wafern erwartet werden jährlich einen Ausgangswert von 15 Milliarden Yuan haben, mit einem Gewinn und Steuern von mehr als 1,5 Milliarden Yuan.

Da der Ausbruch der Epidemie in 2020-Chip Engpässe haben in der ganzen Welt und werden immer intensiver schnell verbreitet. Als typischer Vertreter auf dem Gebiet der Hoch-end Halbleiterbauelemente in meinem Land, Innosec' s Suzhou Galliumnitrid-Projekt wurde in Betrieb genommen,nichtnur für 5G Mobilkommunikation, Datenzentren,neue Energie Fahrzeuge, unbemanntes Fahr , Mobiltelefon-Schnellladung und andere strategische aufstrebende Industrien. Unabhängige Innovation und Entwicklung bieten Kern elektronische Komponenten, und haben auch enorme Vorteile hinsichtlich der Produktionskapazität und die Kosten, die eine ausreichende Versorgungssicherheit für die Anwendung von Produkten in verschiedenen Bereichen zur Verfügung stellen kann.

InnoSec GaN Power-Geräte habe einen lauten und angenehmen Namen"innogan". In den letzten Jahren mit dem Aufkommen des Galliumnitrid Schnelllade Markt im Consumer Spg.Versorgungsteilfeld hat InnoGaN eine Bühne für InnoGaN sofern ihre Talente zu zeigen. Zur gleichen Zeit hat sich InnoGaN allmählich ein bekanntes Produkt für Verbraucher Netzingenieure geworden

Es vorhanden, Innosec'. S Masse-produced Galliumnitrid-Leistungsvorrichtungen Abdeckung Der Spannungsbereich von 30 V-900V, und es ist zu einem der wenigen originalen IDM-Hersteller auf dem globalen Markt mit einem kompletten Sortiment an Galliumnitrid-High-voltage undniedrig-voltage-Produktlinien.

with Seine starke wissenschaftliche Forschungsstärke und fortschrittliche Technologie, InnoSec wurde unter der wichtigsten Unterstützung von viernationalen Ministerien und Provisionen als integriertes Schaltungsunternehmen unter 0,25 Mikron aufgeführt. Es ist auch das erste dritte-generation-Halbleiterprojekt in China, das durch das Fenster dernationalen Entwicklungs- und Reformkommission geführt wird. Gleichzeitig, als ein Unicorn-Unternehmen auf China' s IC Billboard Im Jahr 2021 hat InnoSec Key R&D-Projekte einer Reihenationaler Ministerien und einschlägige Provinzabteilungen durchgeführt.

end-Halbleitergeräte aufzubauen.-

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