aluminiumnitridkeramik weisen eine Reihe hervorragender Eigenschaften wie hervorragende Wärmeleitfähigkeit, zuverlässige elektrische Isolierungen,niedrige Dielektrizitätskonstante und dielektrische Verluste,nicht-toxizität und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der mit Silizium entspricht. Es ist eineneue Art von hervorragender umfassender Leistung. Keramische Materialien gelten als ideale Materialien für eineneue Generation hochintegrierter Halbleitersubstrate und elektronische Geräteverpackungen. Aluminiumnitrid (ALN) ist ein Sechskantkristall, und reines Aln ist blau-white,normalerweise grau oder aus-white.

Die Herstellungsverfahren von Aluminiumnitridkeramiken ist im Wesentlichen dem Herstellungsverfahren anderer keramischer Materialien ähnlich. Es gibt drei Herstellungsverfahren: Pulversynthese, Formung und Sintern.

aluminiumnitridpulver wird als Rohmaterial zur Herstellung von Endkeramikprodukten verwendet. Seine Reinheit, Teilchengröße, Sauerstoffgehalt und Inhalt anderer Verunreinigungen haben einen wichtigen Einfluss auf die Wärmeleitfähigkeit, das anschließende Sintern und das Umformen des Verfahrens dernachfolgenden Produkte. Ob das Endprodukt eine hervorragende Leistung oder keinen Eckpfeiler hat. Die Syntheseverfahren von Aluminiumnitridpulver sind wie folgt: Direktes Nitridierungsverfahren, karbothermisches Reduktionsverfahren, selbst-propplagating-Hochtemperatursyntheseverfahren, chemisches Dampfabscheidungsverfahren

There sind viele Formteile für Aluminiumnitridpulver und herkömmliche Formtierverfahren wie Gilt, Heißpressen und isostatische Pressen sind alle anwendbar. Aufgrund der starken Hydrophilie von Aluminiumnitridpulver, um die Oxidation von Aluminiumnitrid zu verringern, sollte der Kontakt mit Wasser während des Formvorgangs so weit wie möglich vermieden werden. Obwohl das Heißpressen und ein isostatisches Pressen zur Herstellung von Aluminiumnitrid-Keramikmaterialien mit hoher-erformance-Bulk-Aluminium-Nitrid-Keramik geeignet sind, haben sie eine hohe Kosten- undniedrige Produktionseffizienz und könnennicht der steigenden Nachfragenach Aluminiumnitridkeramik-Substraten in der Elektronikindustrie erfüllen.