Yttriums Wirkung auf die heißen Riss- und Kriecheigenschaften einer Ni-basierten Superlegierung, die von Additive Manufacturing aufgebaut ist (2)

Veröffentlichungsdatum:2021-06-28

1. materials und -methoden

-The exakte chemische Zusammensetzungen (in Massen-%) von Hastelloy-X-Legierungen mit 0 und 0,12 Yttrium werden jeweils HX bzw. HX-A bezeichnet in a sind in Tabelle 1 wurden unter Verwendung des EOS M290 SLM-Maschine (EOS, Robert-Stirling-ring 1, 82152, Krailling, Bayern, Deutschland) in Form einer 45 × 45 × 45 mm-Würfel aufgebaut Diese beiden Proben gezeigt Schutz-AR-Atmosphäre unter Verwendung von Pre-egoyed Pulvern und den gleichen Verarbeitungsparametern. Wir haben die Standard-Wärmebehandlung sowohl für die Hx- als auch für HXA-Exemplare durchgeführt. Lösung Wärmebehandlung (ST) wurde bei 1177 ° C für 2 h durchgeführt, gefolgt von der Luftkühlung auf Raumtemperatur

 22.png

-/#+-----

F der Kriechprüfung, wir haben das geschnitten Cube in eine Reihe von Platten mit einer Dicke von 3,1 mm; Von diesen Platten wurden die Kriechtestproben mit einer Elektro-Schneidemaschine von Electro

diScharde ausgeschnitten. Die Messabmessungen jeder Probe betrug 19,6 × 2,8 × 3,0 mm. Wir haben den Kriechtest unter 900 ◦C80 MPA-Bedingungen durchgeführt. Die Proben wurden poliert SiC Schmirgelpapier mit bis zu 1200 Grad von Diamantpaste, gefolgt von bis zu kolloidaler Kieselsäure (0,5 & mgr; m) unter Verwendung von Maschine A Struers (Ballerup, Dänemark) automatische Polier. Alle Proben wurden dann mit Ethanol in einem Ultraschallbad 10 min gewaschen. Wir geätzt die Proben mit 20% iger Phosphorsäure80% Wasser-Lösung Schmelzbad Grenzen zu beachten. Ein Rasterelektronenmikroskop, die mikrostrukturelle Beobachtung wurde unter Verwendung eines optischen Mikroskops (Olympus Corp. Tokyo, Japan OM) durchgeführt (SEM; Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan), Energie

dispersive Spektroskopie (EDS) (S

3700N Typ EDS Ausrüstung, hergestellt von Horiba Seisakusho Co., Ltd., Kyoto, Japan) und Feldemissions Elektronenmikroskopie (FEsem) (JSM 7100, JEOL, Tokyo, Japan), die an einer EDS (EDAXAMETEX 9424). Image J-Software (64BIT Java 1.8.0_172) wurde verwendet, um Rissfraktion und Porositätsmessungen zu analysieren.

 

 -

Results----1.1.-

microstruktur Beobachtung

 33.png3.1.1.

Bbuilt Proben--buility 1 zeigt den HX und HX \\ Optische Mikrostrukturen der NA-Exemplare in der alsBuilt-Bedingung. Alle wurden mit den gleichen Verarbeitungsparametern hergestellt. Die HX

a mehr Risse als HX (Abbildung 1a) zeigte Probe, weil die HX

a zusätzliche Yttrium (Y) Legierungselemente enthalten sind, dass die Probe HX Probe fehlte. Der bemerkenswerte Punkt ist, dass alle Risse parallel zur Baurichtung (BD) waren (Abbildung 1b).na der Riss Fraktionen für die HX und HX \\ Proben sind 1% bzw. 5% betrugen. 44.png

--Figure 2 zeigt SEM-Aufnahmen der als

built Probe. Beiniedrigerer Vergrßerung zeigten alle Proben Schmelzbad Grenzen und Erstarrungsstrukturen, wie Korngrenzen und Dendriten (Figur 2a, b für HX und 2c, d für HX

a). Fig. 2B zeigt Risse bei höherer Vergrößerung in der Hx-Probe. In beiden Proben wurden die Risse entlang der Korngrenze und erschien in interdendritischen Bereichen ausgebildet. 55.png

---Wir ausgeführt EDS-Mapping-Scans an den Rissen der HX und HX-a Proben. EDS-Analyse zeigte, SiC Carbiden und W6C Bildung in der HX Probe (Abbildung 3a). Im HXa Probe an dem Risse EDS-Mapping die Bildung von YC (Abbildung 3b) zeigte.

 

66.pngfigure 4 zeigt EDS-Mapping der HX

a als

built Probe, die die Existenz von kleinen Y-Oxid (Yttriumoxid) und Si-Oxid (Siliciumdioxid) Teilchen im Innern des Korns anzeigt. Die Rückstreuelektronenbeugung (EBSD) kristallographische Orientierung abbildet beiden Proben im als77.pngbuilt Zustand (Figur 5) ergab säulenförmige Körnernahezu parallel ausgerichtet zu der Gebäude-Richtung. In der HX Probe werden einige Körner in die Richtung ausgerichtet, und einige sind in die Richtung (Figur 5a). Auf der anderen Seite ist die Körner in den HX

a Probe sind etwas feiner und vor allem in die Richtung (5b) ausgerichtet \\n \\n. \\ N \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n \\n

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